半导体中电子存在的两种方式----   位于共价键中的束缚状态

                                 位于间隙位置的自由状态

两者所分别构成的价带和导带之间的能量势垒间隔为禁带，也成带隙。禁带（带隙）的单位为eV

半导体       Si      GaAs     3C-SiC     6H-SiC    4H-SiC

禁带eV      1.1     1.42      2.39-2.65     3         3.26

2、碳化硅材料具有远大于硅的禁带宽度

     器件综合性能比硅器件高三个数量级

     几种半导体材料物理性能比较（见图）

3、采用碳化硅电力电子器件的优势

   提高电能利用效率   碳化硅器件的导通电阻从理论上讲只有硅器件的百分之一，可以极大地降低了导通损耗，提高电能利用率。

   大幅度减小设备体积和成本   碳化硅器件的开关频率是硅器件的20倍，可以大大减小了储能元件的体积，成倍地减小设备体积，减少贵重金属盒原材料消耗。

   具有更高的可靠性   碳化硅器件理论上可以工作在600℃的高温，具有抗辐射的优势，特别适用于环境恶劣的场合，可以大大提高系统的可靠性。