硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下：

• 要求开通电压较高22V~15V；
• 要求关断电压较高-5V~-3V；
• 优先稳负压，保证关断电压稳定；
• 增加负压钳位电路，保证关断时候负压不超标。