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SiCer小课堂 | 碳化硅肖特基二极管可靠性及应用注意事项

来源：青岛技场半导体仪器有限公司网址：

1、dv/dt、di/dt破坏

通常情况下，当给硅快恢复二极管和碳化硅肖特基二极管施加过大的dv/dt 时，器件都有可能因过压而损坏，因此在碳化硅肖特基二极管器件设计使用过程中需参考规格书中的参数，避免此类问题的发生。

硅快恢复二极管反向恢复电荷高，在di/dt 变化大的情况下，恢复电流Irr 变大且时间长，容易热击穿破坏半导体器件，而碳化硅肖特基二极管几乎没有反向恢复电流，大大降低了因反向恢复造成损坏的风险；同时，相对于硅快恢复二极管，碳化硅肖特基二极管具有更低的开关损耗。

2、碳化硅肖特基二极管的可靠性测试结果

※根据规格书记载的电气特性来进行故障判定。

关于可焊性测试，判定标准是焊料盖面积≥95%。

※样品标准：采用可靠性水平90%，故障失效水平λ1=10%c=0的判定,根据 MIL- STD-19500的指数分布型计数一次抽样表。采用22个样本。

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